München (OTS) – Mit dem Ablauf der 60-tägigen Überprüfungsfrist durch
den US-
Präsidenten wird die am 7. Mai 2026 von der Full Commission der US
International Trade Commission (US ITC) erlassene Final Determination
bestätigt. Damit steht fest, dass Innoscience ein Infineon-Patent im
Bereich der GaN-Technologie verletzt. Patentverletzende GaN-Produkte
dürfen daher von Innoscience weder in die USA eingeführt noch in den
USA zum Kauf angeboten werden.
„Diese Entscheidung unterstreicht einmal mehr die Stärke des
geistigen Eigentums von Infineon. Sie bekräftigt unser Engagement,
das Patentportfolio von Infineon aktiv zu schützen und fairen
Wettbewerb in der Branche zu wahren“, sagt Johannes Schoiswohl,
Senior Vice President und Leiter der GaN Systems Business Line bei
Infineon. „Mit unserer branchenführenden 300-Millimeter-GaN-Fertigung
sind wir einzigartig positioniert, um Innovationen zu skalieren. So
können wir Leistungs-, Qualitäts- und Kostenvorteile liefern, die
unsere Kunden benötigen, um Dekarbonisierung und Digitalisierung
weiter voranzutreiben.“
Diese finale Entscheidung der US ITC fügt sich in eine ganze
Reihe von Gerichtsentscheidungen zugunsten von Infineon in Bezug auf
das GaN-Patentportfolio des Unternehmens ein. In Rechtsstreitigkeiten
in Deutschland hatte das Landgericht München I bereits im August
2025, im Juni 2026 und Anfang Juli 2026 festgestellt, dass
Innoscience drei Patente und ein Gebrauchsmuster von Infineon
verletzt. Die Urteile des deutschen Gerichts untersagen Innoscience
den Import, den Verkauf und die Vermarktung patentverletzender
Produkte in Deutschland. Darüber hinaus hat das Gericht Innoscience
zur Zahlung von Schadensersatz an Infineon verurteilt.
GaN spielt eine zentrale Rolle bei der Entwicklung
leistungsstarker und energieeffizienter Stromversorgungssysteme für
eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Technologien für erneuerbare
Energien, Rechenzentren, Industrieautomatisierung und
Elektrofahrzeuge.
Infineon baut kontinuierlich seine Position als führender
Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt aus. Das
Unternehmen verfügt über das branchenweit breiteste Patent-Portfolio.
Es umfasst rund 450 GaN-Patentfamilien. Infineon setzt sich für die
Förderung von Innovationen ein und treibt die Entwicklung von
Halbleitertechnologien konstant voran, um die drängendsten
Herausforderungen der Welt – von der Dekarbonisierung bis zur
digitalen Transformation – zu bewältigen.
Über Infineon
Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter
von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (
IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die
Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat
weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte
im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7
Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und
in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol
„IFNNY“ notiert.
Weitere Informationen erhalten Sie unter www.infineon.com
Diese Presseinformation finden Sie online unter
www.infineon.com/presse
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