München (OTS) – – ITC hat im Patentverletzungsverfahren gegen
Innoscience
zugunsten von Infineon entschieden
– Die Behörde untersagt Innoscience den Import und Verkauf von
Galliumnitrid-Produkten in den USA
– Entscheidung unterstreicht erneut den Wert des
branchenführenden Patentportfolios von Infineon
Die Full Commission der US International Trade Commission (ITC)
hat die vorläufige Feststellung vom Dezember 2025 bestätigt, wonach
Innoscience ein Infineon-Patent im Bereich der Galliumnitrid-(GaN)-
Technologie verletzt hat. Die Behörde ordnete ein Import- und
Verkaufsverbot gegen Innoscience an. Diese Entscheidung und die
Unterlassungsverfügungen unterliegen einer 60-tägigen
Überprüfungsfrist durch den US-Präsidenten.
„Diese Entscheidung unterstreicht einmal mehr die Stärke des
geistigen Eigentums von Infineon. Sie bestätigt unser Engagement, das
Patentportfolio von Infineon konsequent zu schützen und einen fairen
Wettbewerb im Markt sicherzustellen“, sagt Johannes Schoiswohl,
Senior Vice President und Leiter des GaN-Geschäfts bei Infineon. „Mit
unserer branchenführenden 300-Millimeter-GaN-Fertigung sind wir
herausragend positioniert, um Innovationen zu skalieren. Dadurch
können wir unseren Kunden genau die Leistungs-, Qualitäts- und
Kostenvorteile bieten, die sie benötigen, um die Dekarbonisierung und
Digitalisierung weiter voranzutreiben“, fügt er hinzu.
Das Urteil ist eine weitere positive Entscheidung, die die Rolle
von Infineon im Bereich der GaN-Technologie unterstreicht. In einem
weiteren Rechtsstreit in Deutschland macht Infineon die Verletzung
von drei Patenten und eines Gebrauchsmusters vor dem Landgericht
München I geltend. Bereits im August 2024 hat das Münchner Gericht
eine Verletzung des ersten Infineon-Patents durch Innoscience
festgestellt. Die Verhandlungen zu einem Patent und einem
Gebrauchsmuster sind für Juni 2026 angesetzt.
Infineon ist ein führender Integrated Device Manufacturer (IDM)
im GaN-Markt mit dem branchenweit breitesten IP-Portfolio, das rund
450 GaN-Patentfamilien umfasst. GaN spielt eine Schlüsselrolle bei
der Realisierung leistungsstarker und energieeffizienter
Leistungssysteme in einer Vielzahl von Anwendungen, darunter
erneuerbare Energiesysteme, KI-Rechenzentren, industrielle
Automatisierung und Elektrofahrzeuge (EVs). Durch höhere
Leistungsdichte, schnellere Schaltgeschwindigkeiten und geringere
Leistungsverluste ermöglichen GaN-Halbleiter kompaktere Designs,
verringern Energieverbrauch und Wärmeentwicklung. Als führendes
Unternehmen im Bereich Leistungssysteme beherrscht Infineon alle drei
relevanten Materialien: Silizium (Si), Siliziumkarbid (SiC) und
Galliumnitrid (GaN).
Über Infineon
Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter
von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (
IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die
Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat
weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte
im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7
Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und
in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol
„IFNNY“ notiert.
Weitere Informationen erhalten Sie unter www.infineon.com
Diese Presseinformation finden Sie online unter
www.infineon.com/presse
Follow us: Facebook – LinkedIn