München (OTS) – Das Landgericht München I hat heute in zwei weiteren
Patentverletzungsverfahren – genauer gesagt aus einem Patent und aus
einem Gebrauchsmuster – zwischen Infineon Technologies und
Innoscience im Bereich der Galliumnitrid-(GaN)-Technologie zugunsten
von Infineon entschieden.
In den Verfahren geht es um die unerlaubte Nutzung der von
Infineon patentierten GaN-Technologien durch das chinesische
Unternehmen Innoscience. Mit den heutigen Entscheidungen verbietet
das Gericht Innoscience, weitere patentverletzende Produkte in
Deutschland herzustellen, zu verkaufen und zu vermarkten. Darüber
hinaus verpflichtet das Gericht Innoscience zur Zahlung von
Schadenersatz an Infineon.
Es handelt sich bereits um die dritte und vierte juristische
Niederlage von Innoscience in einer Serie von Gerichtsverfahren, in
denen jeweils entschieden wurde, dass Produkte von Innoscience
Infineon-Patente verletzen. Gerichte und Behörden in den USA und in
Deutschland haben wiederholt festgestellt, dass Produkte von
Innoscience geistige Eigentumsrechte von Infineon verletzen. Bereits
am 1. August 2025 hatte das Gericht in einem ersten deutschen
Verfahren gegen Innoscience entschieden. Darüber hinaus hatte am 7.
Mai 2026 die Full Commission der US International Trade Commission (
ITC) festgestellt, dass Innoscience ein Infineon-Patent im Bereich
der GaN-Technologie verletzt hat. Zusätzliche Verfahren wegen der
Verletzung von weiteren Infineon Patenten sind in den USA und
Deutschland anhängig.
GaN spielt eine zentrale Rolle bei der Entwicklung
leistungsstarker und energieeffizienter Stromversorgungssysteme für
eine Vielzahl von Anwendungen, darunter Technologien für erneuerbare
Energien, Rechenzentren, Industrieautomatisierung und
Elektrofahrzeuge.
„Das heutige Urteil zeigt den Wert unseres GaN-Portfolios und
verdeutlicht, dass wir unser geistiges Eigentum energisch verteidigen
und uns für einen fairen Wettbewerb einsetzen“, sagt Johannes
Schoiswohl, Senior Vice President und Leiter der GaN Systems Business
Line von Infineon.
Infineon baut kontinuierlich seine Position als führender
Integrated Device Manufacturer (IDM) im GaN-Markt aus. Das
Unternehmen verfügt über das branchenweit breiteste Patent-Portfolio.
Es umfasst rund 450 GaN-Patentfamilien. Infineon setzt sich für die
Förderung von Innovationen ein und treibt die Entwicklung von
Halbleitertechnologien konstant voran, um die drängendsten
Herausforderungen der Welt – von der Dekarbonisierung bis zur
digitalen Transformation – zu bewältigen.
Über Infineon
Die Infineon Technologies AG ist ein weltweit führender Anbieter
von Halbleiterlösungen für Power Systems und das Internet der Dinge (
IoT). Mit seinen Produkten und Lösungen treibt Infineon die
Dekarbonisierung und Digitalisierung voran. Das Unternehmen hat
weltweit rund 57.000 Beschäftigte (Ende September 2025) und erzielte
im Geschäftsjahr 2025 (Ende September) einen Umsatz von rund 14,7
Milliarden Euro. Infineon ist in Frankfurt unter dem Symbol „IFX“ und
in den USA im Freiverkehrsmarkt OTCQX International unter dem Symbol
„IFNNY“ notiert.
Weitere Informationen erhalten Sie unter www.infineon.com
Diese Presseinformation finden Sie online unter
www.infineon.com/presse
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